Modelagem de transistores de efeito de campo MOS de fortalecimento – Um estado da arte

• Ano de defesa: 1992
• Autor(a) principal: CREPALDI, Paulo César
• Orientador(a): CALDEIRA, Laércio
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Itajubá
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
• Departamento: IEPG - Instituto de Engenharia de Produção e Gestão
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: Modelagem de transistores; Campo MOS de enriquecimento; Modelagem de Mosfets
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA
• Link de acesso: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2758