Estratégia generalizada de modulação por largura de pulso para inversores multiníveis.

• Ano de defesa: 2005
• Autor(a) principal: OLIVEIRA JÚNIOR, Antônio Soares de.
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Campina Grande; Brasil; Centro de Engenharia Elétrica e Informática - CEEI; PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA; UFCG
• Palavras-chave em Português: Modulação PWM Híbrida; Inversores Multiníveis; Inversor Convencional de Dois Níveis; Inversor Multinível com Diodos de Grampeamento; Inversor Multinível com Capacitores Flutuantes; Inversor Multinível em Cascata com Fontes CC Separadas; Inversor de Três Níveis com Número Reduzido de Componentes; Razão de Distribuição; Hybrid PWM Modulation; Multilevel Inverters; Conventional Two Level Inverter; Multilevel Inverter with Clipping Diodes; Multilevel Inverter with Floating Capacitors; Cascading Multilevel Inverter with Separate DC Sources; Three Level Inverter with Reduced Number of Components; Distribution Ratio; Engenharia Elétrica
• Link de acesso: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9507

Este trabalho apresenta uma estratégia generalizada de modulação por largura de pulso para comandar inversores multiníveis. O método se baseia no fato de que as sequências de comutação na modulação vetorial são as mesmas daquelas criadas para a modulação senoidal por portadora, quando uma componente de sequência zero adequada é injetada nos sinais de referência. Uma equação geral para a componente de sequência zero é fornecida, a qual é uma função da razão de distribuição vetorial e do número de níveis do inversor. O método evita um tratamento complicado na determinação de relações similares para inversores com um número de níveis maior que três. A estratégia também pode ser aplicada para determinar um padrão de comutação que minimize as perdas por comutação. Para testar a estratégia proposta foi montada a estrutura do inversor fonte de tensão de três níveis com diodos de grampeamento. Um processador digital de sinais foi utilizado para geração dos sinais de comando dos dispositivos semicondutores. Adicionalmente, uma estrutura alternativa de inversor de três níveis com número reduzido de componentes é analisada. O objetivo é reduzir as perdas em condução. Resultados experimentais que demonstram a eficiência e a qualidade da estratégia multinível são apresentados.