Associação de filtros ativos de potência paralelos em sistemas a três e quatro fios.

• Ano de defesa: 2011
• Autor(a) principal: FABRÍCIO, Edgard Luiz Lopes.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Campina Grande; Brasil; Centro de Engenharia Elétrica e Informática - CEEI; PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA; UFCG
• Palavras-chave em Português: Conversores Elétricos; Qualidade de Energia; Filtro Ativo de Potência; Cargas não Lineares; Distorção Harmônica; Perdas; Filtros Ativos de Potência Paralelos; Sistemas a Três e Quatro Fios; Electrical Converters; Power Quality; Active Power Filter.Non-linear; Non-linear Loads.; Harmonic Distortion.; Losses.; Parallel Power Active Filters; Three and Four Wire Systems; Engenharia Elétrica
• Link de acesso: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9429

A utilização de filtros ativos de potência (FAP) paralelos é a solução, mais empregada, para melhorar a qualidade de energia de sistemas. São compensadas, por esses filtros, harmônicas de corrente e reativos demandadas por cargas não lineares. Neste trabalho são estudadas associações de FAPs paralelos a três e quatro fios e propostas duas "filosofias" de controle. Essas tem como objetivo, além de compensar reativos e harmônicas de corrente, impor a divisão do fluxo de potência igualmente entre os filtros ou a divisão da função de compensação, onde um dos filtros compensará apenas as componentes reativas e o outro filtro compensará as componentes harmônicas. Para cada topologia estudada são abordadas os seguintes aspectos: (i) modelagem dinâmica da configuração; (ii) estratégia PWM e (iii) estratégia de controle. Será feito um estudo comparativo, entre as topologias convencionais e as topologias compostas por associação, das distorções harmônicas da corrente da rede elétrica e das perdas do sistema. As topologias, compostas por dois FAPs, permitem reduzir: as distorções da corrente da rede de alimentação, as perdas de alta frequência nos capacitores do barramento CC e as perdas nos semicondutores (IGBTs) em comparação às topologias convencionais nas mesmas condições de operação. As topologias são validadas apresentando-se os resultados de simulação e experimentais.