Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1993 |
| Autor(a) principal: |
Carvalho, Ricardo Renan Landim de |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
|
| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: |
|
| Link de acesso: |
http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/62252
|
Resumo: |
In the present work we study the effect of non-abrupt interface of GaAs e o AlxGa1-xAs in the transmission coefficient of electrons through single and double barriers. Both methods of finite element and multisteps have been successfully applied. Under the transmission coefficient of electrons on single barrier of GaAs e o AlxGa1-xAs, we also analyse the effect of the kinectic energy operator by considering the effective mass varying with the position. It is also studied the effect of transition regions on the resonant tunneling on double barriers.We propose an analytical method to obtain the transmission coefficient on non-abrupt barrier, applying to an interface of GaAs e o AlxGa1-xAs. It is shown that WKB results correspond to an approximation of this method. |
