Otimização da técnica HI-OS para obtenção de dispositivos integrados de emissão de elétrons por efeito de campo

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa:	2016
Autor(a) principal:	Silva, Débora Ariana Corrêa da
Orientador(a):	Não Informado pela instituição
Banca de defesa:	Não Informado pela instituição
Tipo de documento:	Dissertação
Tipo de acesso:	Acesso aberto
Idioma:	por
Instituição de defesa:	Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação:	Não Informado pela instituição
Departamento:	Não Informado pela instituição
País:	Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:	DISPOSITIVOS DE EMISSÃO DE CAMPO (FE) TÉCNICA HI-PS ÓXIDO DE SILÍCIO POROSO FIELD EMISSION DEVICES HYDROGEN IMPLANTATION - POROUS SILICON OXIDIZED POROUS SILICON PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA - UFABC
Link de acesso:	http://biblioteca.ufabc.edu.br/index.php?codigo_sophia=98891
Resumo:	Orientador: Prof. Dr. Michel Oliveira da Silva Dantas

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