Fotoluminescência, fotoacústica e características estruturais do semicondutor Zn₂TiO₄:Ni²⁺

• Ano de defesa: 2020
• Autor(a) principal: Gomes, Luiz Pedro Vieira
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade do Estado do Rio de Janeiro; Centro de Tecnologia e Ciências::Instituto de Física Armando Dias Tavares; Brasil; UERJ; Programa de Pós-Graduação em Física
• Palavras-chave em Português: Photoluminescence; Electronic excitation; Semiconductors; X-Ray Diffraction; Excitation; Ni²⁺; Fotoluminescência; Excitação eletrônica; Semicondutores; Raios X - Difração; Excitação; CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA::ESTRUTURA DE LIQUIDOS E SOLIDOS; CRISTALOGRAFIA
• Link de acesso: http://www.bdtd.uerj.br/handle/1/17062

Nessa tese é apresentada a síntese e a investigação de amostras cerâmicas semicondutoras do composto Zn₂TiO₄ contendo íons Ni²⁺ como impurezas. As amostras foram sintetizadas por reação de estado sólido entre os reagentes ZnO, TiO₂ e Ni(OH)₂. As fases cristalográficas foram identificadas através da Difração de Raios X e a caracterização óptica das amostras foi obtida com as técnicas de Fotoluminescência, Excitação e Fotoacústica, em temperatura ambiente e pressão atmosférica, com as quais foram determinados os níveis de energia e as respectivas transições, o tempo de decaimento da emissão, a eficiência quântica da luminescência, o tipo e a energia do gap do semicondutor.