Sistemas de propulsão de navios sob o conceito All-electric Ship: análise da aplicação de conversores multiníveis duais em acionamento de motores com terminais abertos

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2018
Autor(a) principal: Martins, Diogo
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade do Estado do Rio de Janeiro
Centro de Tecnologia e Ciências::Faculdade de Engenharia
BR
UERJ
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Eletrônica
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://www.bdtd.uerj.br/handle/1/11877
Resumo: Com o desenvolvimento da eletrônica de potência, aumentou-se o interesse por navios sob o conceito All-electric Ship. Sob esta ótica, todos os sistemas instalados a bordo, até aqueles de maior demanda energética como os sistemas de propulsão são convertidos para sistemas elétricos. Nesse contexto, a utilização de conversores torna-se imprescindível. Esta dissertação analisa a utilização de conversores multiníveis aplicados a motores de grande potência, como os encontrados em sistemas de propulsão. A topologia apresentada consiste na utilização de conversores multiníveis duais conectados a motores de indução com seus terminais abertos, ou seja, cada extremidade dos enrolamentos é conectada a um inversor. A viabilidade desta configuração é analisada neste trabalho. Os conversores utilizados nas simulações são o conversor multinível grampeado a diodos de três níveis e o conversor multinível MLC² de cinco níveis. Foram adotadas nas simulações as estratégias de modulação S-PWM e SVM. Também, foi analisada a estratégia de chavear um dos conversores atrasados em relação ao outro, aplicando um sinal modulante atrasado de um ângulo α. Para análise da viabilidade de utilização desta configuração, foi dada ênfase aos resultados obtidos de THD e níveis de corrente e tensão sobre os dispositivos semicondutores.