Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2024 |
| Autor(a) principal: |
Toginho Filho, Dari de Oliveira |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Tese
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.uel.br/handle/123456789/10552
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Resumo: |
Resumo: O objetivo deste trabalho é o estudo de espelhos de Bragg do sistema AlGaAsSb/AlAsSb não dopado e dopados com Te, preparados pela técnica de BEM sobre substrato de InP, empregados em VCSELs na região de 1,55 µm Empregando a técnica Hall, absorção, SIMS e principalmente fotoluminescência, foi realizada uma análise comparativa e sistemática entre amostras “bulk” de GaAsSb e AlGaAsSb não dopadas e dopadas com Te Com estes resultados desenvolvemos um estudo sistemático das propriedades elétricas e ópticas de espelhos com 61/2 e 21/2 períodos não dopado, com dopagem homogênea, com dopagem do tipo “d-doping” e dopagem com liga digital em gradiente nas interfaces, empregando as técnicas de SIMS, Hall, IxV, PL, e refletividade Fizemos também a simulação de espectros de refletividade em espelho de Bragg aplicando um formalismo matricial Nossa principal conclusão é a altíssima viabilidade do emprego da estrutura AlGaAsSb/AlAsSb na preparação de espelhos de Bragg para operação na região de 1,55 µm, com os melhores resultados apresentados pelo espelho com liga digital |
