[en] SYNTHESIS AND STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF GRAPHENE ON GE(100) BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION

• Ano de defesa: 2019
• Autor(a) principal: CESAR AUGUSTO DIAZ MENDOZA
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] ESPECTROSCOPIA RAMAN; [pt] STM - STS; [pt] GERMANIO; [pt] MEV; [pt] GRAFENO; [pt] AFM; [en] RAMAN SPECTROSCOPY; [en] STM - STS; [en] GERMANIUM; [en] MEV; [en] GRAPHENE; [en] AFM
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=36041&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=36041&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.36041

[pt] A integração do grafeno nos dispositivos nanoeletrônicos depende da disponibilidade de processos de deposição de forma direta sobre o substrato. A deposição direta pode fornecer grafeno uniforme, com alta qualidade e em grande área sobre substratos semicondutores como sílicio ou germânio. Nesta tese, foi sintetizado grafeno diretamente sobre germânio dopado tipo p e com uma orientação cristalina (100) empregando a deposição química na fase vapor. Foi estudada a influência da relação de fluxo entre os gases CH4 e H2 no crescimento de grafeno. As técnicas empregadas para verificar a qualidade das amostras e o tipo de crescimento obtido foram a espectroscopia Raman, microscopia de varredura eletrônica, de tunelamento e de força atômica, e a espectroscopia de tunelamento. Determinamos que para as condições empregadas, o crescimento de grafeno sobre germânio é autolimitado, com a deposição de apenas uma única camada, com poucos defeitos na sua rede cristalina e com o nível de Fermi característico de um material com dopagem tipo n.