[en] GROWTH MODE TRANSITION FROM 2D TO 3D IN INAS ON GAAS ANALYZED BY PHOTOLUMINESCENCE

• Ano de defesa: 2016
• Autor(a) principal: GUILHERME MONTEIRO TORELLY
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] PONTOS QUANTICOS; [pt] CELULA SOLAR; [pt] SEMICONDUTOR; [pt] LUMINESCENCIA; [pt] POCOS QUANTICOS; [en] QUANTUM DOTS; [en] SOLAR CELL; [en] SEMICONDUCTOR; [en] QUANTUM WELLS
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=27483&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=27483&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.27483

[pt] Este trabalho apresenta a caracterização por fotoluminescência de amostras com camadas de arseneto de índio depositadas em substratos de arseneto de gálio. O objetivo é estudar a transição entre os modos bidimensional e tridimensional no crescimento epitaxial em reator MOVPE, com a formação de pontos quânticos autoorganizados pelo método Stranski-Krastanov e a subsequente aplicação da técnica de indium flush. São analisados espectros de fotoluminescência, simulações dos níveis de energia, imagens de microscopia de força atômica e microscopia eletrônica de transmissão para a obtenção de informações sobre densidade, tamanho, uniformidade e energia das transições radiativas dos pontos quânticos. Imagens de microscopia eletrônica de transmissão revelam a qualidade das interfaces e a espessura das camadas.