[pt] ESTUDO TEORICO E EXPERIMENTAL DO FET DE DUPLA PORTA

• Ano de defesa: 2009
• Autor(a) principal: PAULO JOSE CUNHA RODRIGUES
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] DISPOSITIVO DE MICROONDAS; [pt] FET DE DUPLA PORTA
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=14556&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=14556&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.14556

[pt] Este trabalho tem por objetivo estudar o (MES) FET de dupla porta de Arseneto de Gálio e algumas de suas propriedades como dispositivo de microondas. Inicialmente é desenvolvido um modelo para o FET de porta simples baseado na Aproximação do Canal Gradual, que inclue as variações com a polarização da capacitância entre a porta e o dreno e do tempo de trânsito. A partir desse modelo é obtido um outro para o FET de dupla porta. Então, as propriedades do FET de dupla porta relativas a sua aplicação como amplificador de ganho controlado e misturador são estudadas. A seguir suas propriedades que o fazem indicado para amplificador de ganho controlado são determinados. Também, a região de polarização que otimiza a isolação entre OL e RF quando ele é usado em misturadores é obtida. Usando fórmulas empíricas de forma relativamente simples e uma estratégia de aquisição de dados rápida e eficiente, obtém-se um modelo DC a partir de dados experimentais. Como exemplo de aplicação, esse modelo é usado para determinar o ponto de polarização ótimo com respeito, a ganho para um dispositivo medido. Dois amplificadores são construídos usando uma nova técnica de projeto. Essa técnica utiliza uma linha em aberto na porta 2 para manter o ganho plano sem necessidade de descassamento nas freqüências mais baixas. Em cada um dos amplificadores é usada uma técnica diferente para casamento do dreno. Esse trabalho apresenta-se como uma etapa na direção de aproveitar ao máximo o potencial desse versátil dispositivo de microondas, o FET de dupla porta.