Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2013 |
| Autor(a) principal: |
Magalhães, Robson Assis |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/442
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Resumo: |
Dispositivos eletrônicos possuem vasta aplicação, nos mais diversos cenários, e isto inclui os ambientes radioativos. Estes dispositivos precisam ser confiáveis para suas missões, uma vez que falhas em funções críticas podem ocasionar grandes prejuízos materiais e/ou humanos. Este trabalho faz um estudo dos efeitos transitórios causados pela incidência de partículas carregadas sobre os dispositivos semicondutores, através de simulações tridimensionais. As simulações foram feitas com dispositivos da tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator - Silício Sobre Isolante), tanto em um dispositivo isolado quanto em dispositivos redundantes ligados em série. A partir dos resultados destas simulações, é proposto um modelo de confiabilidade baseado em processos de Markov, de forma que este possa ser adaptado de acordo com o ambiente, em função do fluxo de partículas. Os dispositivos redundantes em série mostraram-se mais confiáveis quando separados por um óxido, não dependendo do fluxo de partículas do ambiente considerado. |
