Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2016 |
| Autor(a) principal: |
Perin, André Luiz |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Tese
|
| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: |
|
| Link de acesso: |
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/275
|
Resumo: |
Neste trabalho, foi analisado o efeito da incidência de uma partícula ionizante em um transistor e em associações de transistores. Foi realizada, também, a comparação de leiautes distintos de transistores e de associações. A aplicação do modelo de confiabilidade permitiu a observação de que o conjunto de transistores empilhados se mostrou muito mais confiável do que os transistores individuais em todos os ambientes analisados. Os níveis de corrente de dispositivos de várias dimensões sob efeito de várias intensidades e direções de campos magnéticos foram analisados e, inclusive, foi proposto um dispositivo FinFET com formato de porta em L, com o objetivo de aumentar a sensibilidade aos campos magnéticos aplicados. Foram propostas também estruturas de teste com formato diferenciado, com o objetivo de separar os efeitos nas várias partes dos transistores e um dispositivo adaptador a ser acoplado no equipamento atual para permitir a caracterização dos dispositivos, todos sob os efeitos de um campo magnético uniforme e conhecido. |
