Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada

• Ano de defesa: 2012
• Autor(a) principal: Goto, Edson Kioshi
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: Transistores
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/439

A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. O transistor SOI apresenta diversas vantagens em relação ao CMOS "bulk", como por exemplo, o aumento de desempenho com VDD equivalente, a supressão do efeito Latch up, redução de efeitos relacionados com antenas, redução do tamanho dos componentes e a redução da sensibilidade à temperatura. Uma preocupação é o efeito de autoaquecimento (Self-Heating), que pode fazer a temperatura do canal aumentar, devido ao calor gerado pelo aumento de corrente e a isolação térmica feita pelo óxido enterrado. Neste trabalho será estudado o autoaquecimento no transistor SOI com canal uniformemente dopado e canal gradual (GC) através de simulações numéricas. Inicialmente foi feita uma revisão teórica dos assuntos relacionados ao tema, tais como o funcionamento e arquitetura do transistor SOI convencional, GC SOI da UCL e OKI, enfatizando suas principais características elétricas e autoaquecimento. Foram realizadas simulações com o "software" Silvaco Atlas com o intuito de comparar transistores SOI e GC SOI em relação à influência do autoaquecimento para diversos tamanhos de canais. Pode-se observar que ambos transistores SOI e GC SOI sofrem o mesmo efeito de autoaquecimento tanto em medidas contínuas como em pulsadas.