Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores

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Main Author: Groote, Jean-jacques Georges Soares de
Publication Date: 1990
Format: Master thesis
Language: por
Source: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
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Summary: O estudo de excitons livres é realizado de modo adequado por uma simples aproximação hidrogenóide, mas, quando estão ligados a imperfeições torna-se necessário uma aproximação matemática mais sofisticada. Neste trabalho, o sistema de três corpos éxciton-impureza é analisado pelo método das coordenadas hiperesféricas na aproximação adiabática, introduzindo este método em problemas de física do estado sólido. Entre os resultados obtidos estão valores precisos de energia de ligação para estados fundamentais e a predição de ressonâncias
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