Transistor level automatic generation of radiation-hardened circuits

• Main Author: Lazzari, Cristiano
• Publication Date: 2007
• Format: Doctoral thesis
• Language: eng
• Source: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
• Download full: http://hdl.handle.net/10183/15506
• topic: Microeletrônica; Cmos; Layout : Circuitos integrados; Transistor level automatic layout generation; Transistor sizing; Low leakage; Radiation-hardened circuits

Tecnologias submicrônicas (DSM) têm inserido novos desafios ao projeto de circuitos devido a redução de geometrias, redução na tensão de alimentação, aumento da freqüência e aumento da densidade de lógica. Estas características reduzem significativamente a confiabilidade dos circuitos integrados devido a suscetibilidade a efeitos como crosstalk e acoplamento de substrato. Ainda, os efeitos da radiação são mais significantes devido as partículas com baixa energia começam a ser um problema em tecnologias DSM. Todas essas características enfatizam a necessidade de novas ferramentas de automação. Um dos objetivos desta tese é desenvolver novas ferramentas aptas a lidar com estes desafios. Esta tese é dividida em duas grandes contribuições. A primeira está relacionada com o desenvolvimento de uma nova metodologia com o objetivo de gerar circuitos otimizados em respeito ao atraso e ao consumo de potência. Um novo fluxo de projeto é apresentado na qual o circuito é otimizado no nível de transistor. Esta metodologia permite otimizar cada transistor de acordo com as capacitâncias associadas. Diferente da metodologia tradicional, o leiaute é gerado sob demanda depois do processo de otimização de transistores. Resultados mostram melhora de 11% em relação ao atraso dos circuitos e 30% de redução no consumo de potência em comparação à metodologia tradicional. A segunda contribuição está relacionada com o desenvolvimento de técnicas de geração de circuitos tolerantes a radiação. Uma técnica CWSP é usada para aplicar redundância temporal em elementos seqüenciais. Esta técnica apresenta baixa utilização de área, mas as penalidades no atraso estão totalmente relacionadas com a duração do pulso que se planeja atenuar. Além disso, uma nova metodologia de dimensionamento de transistores para falhas transientes é apresentada. A metodologia de dimensionamento é baseada em um modelo analítico. O modelo considera independente blocos de transistores PMOS e NMOS. Então, somente transistores diretamente relacionados à atenuação são dimensionados. Resultados mostram área, atraso e consumo de potência reduzido em comparação com as técnicas CWSP e TMR, permitindo o desenvolvimento de circuitos com alta freqüência.