Estudo teórico e experimental da placa de desenvolvimentogs66508b-evbdb1 com uso de transistores de nitreto de gálio(gan)

• Main Author: Pedri, Mateus
• Publication Date: 2021
• Format: Bachelor thesis
• Language: por
• Source: Repositório Institucional da Udesc
• dARK ID: ark:/33523/001300000v00r
• Download full: https://repositorio.udesc.br/handle/UDESC/16348
• topic: Engenharia elétrica; Transistores de potencia; Semicondutores de potência; Nitreto de Gálio; Eletrônica de potência

Este trabalho tem como proposta o aprofundamento no conhecimento sobre a tecnologia de semicondutores de nitreto de gálio, GaN, suas vantagens frente às atuais tecnologias predominantes no mercado. Para melhor compreensão do comportamento do modelo escolhido e validação do comportamento deste, são realizadas simulações das curvas características do componentes e feita uma comparação com os dados disponibilizados em datasheet. A escolha do modelo e fabricante do transistor se deve à disponibilidade de documentação disponibilizada pelo fabricante, modelos de simulação do componente fornecidos pelo fornecedor do componente e placa de desenvolvimento pronta, que foi escolhida para que os dados extraídos em testes sejam menos possíveis de serem afetados por comportamentos parasitas presentes em frequências mais elevadas. Dessa forma, foi utilizada a placa de desenvolvimento GS66508B-EVBDB1 com o uso do transistor GS66508B, ambos da marca GaN Systems, a topologia escolhida para o projeto foi o buck síncrono. Com isso, simulações foram realizadas para validação do modelo de simulação em spice do componente GS66508B, inicialmente com comparação das curvas características disponíveis no datasheet com as simulações realizadas com o modelo em spice do componente, utilizando o software de simulação LTspice. Após simulações das curvas características, são realizadas simulações com uso do modelo em spice na topologia de conversor definida. A seguir, são realizados testes práticos do conversor com o transistor GaN, onde são avaliados seus comportamentos frente a uma elevação de frequência de comutação e na elevação da corrente na chave