Estudo de circuitos Gate Driver para transistor de Gan

Bibliographic Details
Main Author: Teichert, Henrique Thomaselli
Publication Date: 2022
Format: Bachelor thesis
Language: por
Source: Repositório Institucional da Udesc
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Download full: https://repositorio.udesc.br/handle/UDESC/16702
Summary: Este trabalho visa estudaras novas tecnologias de semicondutores wide bandgap(salto largo entre bandas), em especial o Nitreto de Gálio (GaN),que prometem dominar o mercado da eletrônica de potência. Para isso, é estudado a estrutura destes transistores e dos principais circuitos de seu acionamento(circuitos de gate drivers). Três circuitos são escolhidos para avaliação por simulação com o software LTspice, a fim de avaliar suas capacidades de acionar dispositivos de vários fabricantes diferentes. No final do trabalho, são apresentados os resultados experimentais de um inversor meia-ponte, utilizando a placa de desenvolvimento da GaN Systems, a GS66508B-EVBDB1 Daughter Board, que possui um braço de transistores de GaN com o gate driver e a GS665MB-EVB, com vários circuitos auxiliares para teste de topologias de meia-ponte
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