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Assuntos:
“...Polycrystalline silicon gate...”
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros
Tese
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Assuntos:
“...Polycrystalline silicon gate...”
Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino.
Dissertação