Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1992 |
| Autor(a) principal: |
Goncalves, Sergio Guimaraes |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17122024-155417/
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Resumo: |
Este trabalho foi realizado com o objetivo de estudar e fabricar células solares do tipo \'N POT.+\'P\'P POT.+\' Com junções profundas. No estudo do emissor, foi utilizado um modelo que inclui a variação dos parâmetros do semicondutor com a posição, o campo elétrico e os efeitos da concentração de dopantes. A análise do comportamento da corrente de saturação e da corrente fotogerada no emissor mostra que, quando a superfície da célula e passivada, a máxima eficiência e obtida com emissores espessos e moderadamente dopados. Para a região de campo retro-superficial, foi elaborado um novo modelo que permite calcular a concentração superficial de dopantes que minimiza a corrente de saturação da base. O emissor foi formado por implantação de fósforo seguida de recozimento em alta temperatura. Durante esta etapa ocorre também a difusão do alumínio depositado nas costas da lâmina. Utilizando esse processo, foram obtidas células com eficiência acima de 15% e tensões de circuito-aberto de até 625mv. A boa qualidade do emissor é demonstrada pela eficiência quântica interna próxima da unidade na região de ultravioleta. |
