Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1990 |
Autor(a) principal: |
Oliveira, Peter William |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-13122013-153818/
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Resumo: |
Neste trabalho apresentaremos os procedimentos para a confecção de substratos de LiNbO3 para dispositivos OAS (Ondas Acústicas Superficiais). Assim como a construção de linhas de atraso, caracterização elétrica e pelo método de \"Laser Probe\". No procedimento experimental, inicialmente descreveremos os métodos e cuidados para a preparação dos substratos do monocristal de LiNbO3 produzido nos laboratórios do Grupo de Crescimento de Cristais do DFCM - IFQSC - USP. Para serem utilizados em linhas de atraso com freqüência central de operação de 70 MHz. Na segunda etapa, descreveremos a construção dos transdutores, o encapsulamento e a caracterização elétrica das linhas de atraso. A caracterização elétrica consta das medidas de impedância das portas de entrada e saída, e da medida de transmissão em um espectro de freqüência do dispositivo OAS. Finalmente, para a caracterização dos substratos confeccionados e util1zados nas linhas de atraso, construímos um sistema óptico, \"Laser Probe, que nos permite medir a velocidade e determinar o campo da onda acústica superficial sobre esses substratos. Apresentamos através do conhecimento do campo acústico, o espalhamento, o desvio de feixe acústico com relação ao alinhamento dos transdutores e as frentes de ondas superficiais em regiões do substrato. Resultados das medidas de perda intrínseca (6 dB) por linha de atraso e o espectro de transmissão dos dispositivos OAS foram apresentados. Sendo a última medida apresentada em comparação com a medida de transmissão da caracterização elétrica |