Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2013 |
Autor(a) principal: |
Zanchin, Vinicius Ramos |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
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Resumo: |
Neste trabalho, é apresentada uma metodologia para fabricação de transistores de filmes finos orgânicos sobre substratos flexíveis e resultados de simples testes de flexão desses substratos. Foram fabricados transistores de Poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) com diversas arquiteturas não se preocupando somente com a relação W/L dessas, mas também com a facilidade de caracterizar os dispositivos em superfícies curvas. Os transistores foram fabricados sobre diversos substratos como silício, vidro e PET, para que fosse possível uma comparação de eficiência entre eles. A mobilidade do P3HT se manteve próximo de 10-2 cm2/Vs enquanto que a corrente de ION apresentou um aumento significativo, Os transistores sobre PET se mostraram resistentes à flexão, suportando raios de curvaturas de até 0,8 cm sem afetar sua resposta. Porém foi identificado que a compressão ou a tração resultam em efeitos diferentes nos transistores, principalmente sobre os eletrodos de ouro. |