Pseudo jahn-teller versus reconstrucao quimica : oxigenio em silicio.

• Ano de defesa: 1990
• Autor(a) principal: Camargo, Francisco de Paula
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Correlação Eletrônica; Defects in semiconductors; Defeitos em semicondutores; Electronic Correlation; Impureza O (Oxigênio) em Si (Silício); Impurity O (Oxygen) on Si (Silicon); Method: INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap) - CI (Configuration Interaction); Método: INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap) CI (Configuration Interaction)
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-28042014-160842/

Estudamos neste trabalho o comportamento da impureza oxigênio em rede cristalina de silício, usando primeiramente o método INDO (lntermediate Neglect of Differential Overlap) com parametrização espectroscópica e incluímos os efeitos de muitos elétrons via Método CI-(Interacão de Configuração). Fazemos uma análise sobre as possíveis origens do posicionamento não-central (off-center) dessa impureza, - se decorrente de uma distorsão Pseudo Jahn-Teller: - se originária de um CR Reconstrução Química. Quando o átomo de Oxigênio é deslocado ao longo da direção [100] ocupa um sitio de mínimo absoluto. O oxigênio introduz no gap de banda um orbital anti-ligante de simetria a1 totalmente ocupado, situação semelhante à dos anti-sitios em materiais semi-condutores III-V. Estudamos também o comportamento dessa impureza quando a mesma é deslocada ao longo da direção [111], verificando que é criada uma posição de Instabilidade mas, os auto-valores têm comportamento não esperado para orbitais anti-ligantes.