Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1997 |
| Autor(a) principal: |
Charcape, Galo Emilio Sisniegas |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/
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Resumo: |
Neste trabalho a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As sobre substrato de fosfeto de índio (InP) e analisar suas propriedades estruturais. elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL). Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As foi feita através da observação das oscilações da da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction : RHEED) A densidade de dopante tipo n (em nosso caso. 0 silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da Fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width at Half Maximum : FWHM) de aproximadamente 23 meV, para a liga de In0.52Al0.48As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH. |
