Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência.

• Ano de defesa: 2008
• Autor(a) principal: Trevisan, Paulo Heringer
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Amplificador de baixo ruído; Circuitos integrados MOS; Low-noise amplifier; MOS integrated circuits
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/

Esta dissertação apresenta o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) para aplicação em 2,4 GHz na tecnologia CMOS 0,35 µm. A metodologia baseia-se na obtenção das dimensões dos dispositivos do circuito considerando o consumo de potência e o desempenho em relação ao ruído. Os resultados mostram que a metodologia implementada é eficaz no projeto de um LNA quando se comparam os resultados obtidos nos cálculos com os resultados obtidos no simulador. A expressão de corrente que considera canal curto impõe maior precisão nos resultados, pois se aplica o ajuste de curva com a curva de corrente obtida pelo simulador. Isto permite maior precisão nos resultados dos cálculos de ruído. O fluxo do projeto baseia-se na implementação de dispositivos ideais obtidos de projeto com o propósito de fazer-se comparações dos resultados de cálculos com as simulações, então, usa-se dispositivos reais e ajusta-se o circuito para encontrar melhores desempenhos quanto às especificações. Os resultados mostram a necessidade de ajuste do circuito quando inserido o modelo do indutor para que se consiga desempenhos próximos dos obtidos inicialmente. Em seguida, realiza-se o layout do circuito e sua extração parasitária para fins de fabricação. Verifica-se que a metodologia apresentada é capaz de direcionar a um projeto de um LNA na tecnologia com resultados finais satisfatórios de ganho, ruído e consumo. Assim os resultados esperados são 14,66 dB de ganho, 1,9 dB de fator de ruído e 2,99 mA de consumo de corrente (9,87 mW em 3,3 V de alimentação) ambos no primeiro estágio.