Contribuição à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado.

• Ano de defesa: 1994
• Autor(a) principal: Fonseca, Fernando Josepetti
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Engenharia elétrica
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16072024-110709/

Com o objetivo de melhor entender os processos de dopagem por implantação iônica de dopantes substitucionais e intersticiais, foram estudadas as propriedades eletro-ópticas de películas de Si : H-A implantadas com fósforo, potássio e silício. As películas foram depositadas em diferentes reatores do tipo PECVD, implantadas a temperatura ambiente e posteriormente recozidas. Em função da temperatura de recozimento mediu-se a condutividade no escuro, o produto ETA-MU-TAL, a energia de ativação e o fator pré-exponencial da condutividade. A variação da condutividade em função da temperatura de recozimento foi atribuída ao deslocamento do nível de FERMI. Confirmou-se a maior eficiência de dopagem do k com respeito ao P, tendo sido obtidas diferenças de duas a quatro ordens de grandeza no valor da condutividade de películas implantadas com os dois dopantes. Verificou-se que a melhor temperatura de recozimento independe da temperatura de deposição das amostras não dopadas numa grande faixa de concentração de dopantes. A temperatura ótima é cerca de 340°C e se mostra válida para os dois tipos de dopantes estudados. Para doses elevadas, a melhor temperatura de recozimento é cerca de 260°C e os danos introduzidos pela implantação não são totalmente recuperados através de tratamento térmico.