Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1991 |
| Autor(a) principal: |
Oka, Mauricio Massazumi |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-084819/
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Resumo: |
Neste trabalho foram abordados dois aspectos dos silicetos: o crescimento lateral e a formação do siliceto sobre substrato altamente dopado. O estudo do crescimento lateral do siliceto de \'TI\' indica a necessidade da formação em duas etapas, intermediadas por uma remoção seletiva do \'TI\' não reagido, sendo a temperatura da primeira etapa de, no máximo, 600\'GRAUS\'c, para evitar o crescimento lateral. Com o siliceto de \'CO\' observamos um crescimento lateral comparável ao do siliceto de \'TI\', ao contrário do esperado. Sugerimos a sua formação em duas etapas, de forma similar ao caso do siliceto de \'TI\'. Observamos que os dopantes presentes no substrato de \'SI\' afetam a cinética de formação de siliceto. O \'AS\' parece atrasar a formação do siliceto enquanto que o BF2 parece adiantá-la. A análise RBS mostra ainda que usando uma única etapa de sinterização, de 600\'GRAUS\'c/60s ou de 700\'GRAUS\'/30s, fomos bem sucedidos em obter uma junção rasa, com concentração de pico de \'AS\' superior a \'1.10 POT.19\' at/\'CENTIMETROS CUBICOS\' sob o siliceto. |
