Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1980 |
| Autor(a) principal: |
Fernandes, Alcione Silva |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-26052014-114248/
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Resumo: |
Neste trabalho estudamos o decaimento do potencial de um plasma, inicialmente distribuído de maneira uniforme num sólido dielétrico, submetido a um potencial inicial conhecido. A possibilidade de recombinação entre os portadores positivos e negativos constituintes do plasma é considerada. Usando o método das características obtemos o potencial e a configuração espacial de portadores para qualquer instante bem como, a carga residual nos eletrodos ao final do processo. Dois casos particulares são igualmente resolvidos: no primeiro, a mobilidade relativa dos portadores é relacionada ao coeficiente de recombinação entre eles através da relação de Langevin e, no segundo, considera-se que os portadores não se recombinam. No desenvolvimento da solução ao problema surge, também, uma considerável quantidade de informações à respeito da dinâmica dos portadores no interior do dielétrico |
