Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2019 |
| Autor(a) principal: |
Matos, João Henrique Rocha |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
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Resumo: |
A área de eletrônica é hoje imprescindível a todos os setores da sociedade contemporânea. A Eletrônica Orgânica abriu um novo segmento tecnológico que tem um potencial extraordinário. Isso porque, uma vez que o processamento nessa área é por deposição de filmes finos a partir da solução de moléculas eletrônicas, as soluções são usadas como tintas e assim impressas por diferentes técnicas: rotogravura, flexografia, silk-screen, impressão por jato de tinta, etc. Também importante ressaltar que esta tecnologia permite uma produção, comparada a eletrônica inorgânica, com dispositivos mais baratos, com flexibilidade mecânica e baixo custo ecológico. Esta dissertação aborda o domínio da técnica de jato de tinta para a confecção de transistores orgânicos (OFETs) tipo p e tipo n em mesmo substrato como tecnologia preliminar na aplicação em um inversor lógico unipolar. Permitindo assim o aprimoramento do uso de OFETs em portas lógicas e na computação. Foi utilizada a arquitetura Botton Gate/Top Contact para a produção de p- e n-OFETs com deposição da camada semicondutora por técnica de impressão por jato de tinta. Para o p-OFET foi utilizado como material semicondutor o 6,13-(triisopropilsililetinil)pentaceno (TIPS pentaceno). O melhor p-OFET produzido neste trabalho obteve mobilidade da ordem 10-2 (cm2 ∗ (V ∗ s)-1) razão On/Off da ordem 105. Para o p-OFET foi utilizado como material semicondutor o Poli{[N,N’-bis(2-octildodecil)-naftaleno-1,4,5,8-bis(dicarboximida)-2,6-diil]- alt-5,5’-(2,2’-bitiofeno)]} (P(NDI2OD-T2)), nome comercial N2200. O melhor n-OFET produzido neste trabalho obteve mobilidade da ordem 10-3 (cm 2 (V ∗ s)-1) e razão On/Off da ordem 104. Como resultados do trabalho foram produzidos dispositivos p- e n-OFET funcionais em mesmo substratos com porta comum. |
