Modelo de Anderson de uma impureza: Um caso elementar de sistema eletrônico correlacionado

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1998
Autor(a) principal: Macedo Junior, Lazaro de Assis
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-10042015-151221/
Resumo: Estuda-se o Modelo de Anderson de uma Impureza (AIM), incorporando o termo de hopping correlacionado (AIMC). O modelo considera uma banda larga do substrato metálico e uma impureza, a última com o único orbital não degenerado (exceto por spin). A constante de aclopamento para o hopping correlacionado reduz a amplitude da hibridização quando o nível da impureza está ocupado. Estudam-se os efeitos da adição deste termo no AIM original, investiga-se a densidade de estados (DOS) e a susceptibilidade magnética. Utiliza-se um esquema de desacoplamento das funções de Green, equivalente a uma aproximação de campo médio efetivo, para estudar o AIMC. Alguns conceitos e técnicas são revisados e compara-se vários resultados conhecidos para o AIM (incluindo a solução exata para um caso particular) com os resultados encontrados neste trabalho