Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1996 |
| Autor(a) principal: |
Sousa, Dione Fagundes de |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06022014-175042/
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Resumo: |
Neste trabalho fazemos um estudo dos campos elétricos existentes em super-redes δ-Si:GaAs As técnicas de espectroscopia Raman e fotorefletancia foram utilizadas para fins de comparação do campo elétrico medido indiretamente (Raman) e diretamente (fotorefletancia). Com o objetivo de eliminar os campos elétricos através do efeito fotovoltaico, foram feitas medidas de fotorefletancia para altas intensidades do feixe de prova, porem apenas reduções de ate 30% no valor destes campos foram obtidas. Os tempos de resposta dos portadores responsáveis pela modulação dos campos elétricos foram inferidos através de medidas de fotorefletancia sensível a fase e estão em bom acordo com os tempos medidos através de uma técnica de fotorefletancia desenvolvida em nosso laboratório |
