Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana.

• Ano de defesa: 2000
• Autor(a) principal: Nogueira, Sandrino
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Corrosão (Resistência); Corrosion (Resistance); Deposição de filmes; Film deposition
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-084914/

Este trabalho teve como finalidade o desenvolvimento de um processo de deposição de filmes adequados à fabricação de microcanais. Para tais filmes, deseja-se resistência à corrosão por ácidos e bases fortes e/ou propriedades de adsorção. Osfilmes foram fabricados utilizando-se o reagente hexametildissilazana (HMDS) no intuito de se obter polímeros com propriedades semelhantes ao silicone. A polimerização do HMDS foi obtida utilizando-se a deposição química a vapor, tendo comofonte de energia o plasma, tanto indutivo como capacitivo. Os filmes foram caracterizados por perfilometria, elipsometria, FTIR, microscopia Raman e a medida do ângulo de contato. Testes de corrosão úmida utilizaram soluções ácidas e básicas,com pH que variavam de 1 a 14. Verificou-se, também, a afinidade por compostos orgânicos numa larga faixa de polaridade. Filmes que apresentaram Si-CH\'IND.3\' com maior intensidade relativa foram testados como promotor de aderência parafotorresiste positivo. A adição de oxigênio, argônio e nitrogênio ao plasma foi utilizada para obter-se filmes com uma estrutura mais semelhante à do silicone, para favorecer filmes com o maior número de ligações cruzadas e tentar formarligações Si-N, respectivamente. Observou-se a formação de estruturas Si-N-Si e Si-CH\'IND.2\'-Si além de Si-CH\'IND.3\', cuja intensidade diminui drasticamente com o aumento da potência, devido a remoção de compostos carbônicos do filme. Adição deAr e N\'IND.2\' ao plasma favorece a formação da estrutura Si-CH\'IND.2\'-Si e Si-N-Si em detrimento de Si-CH\'IND.3\' enquanto que O\'IND.2\' remove tanto Si-N-Si quanto Si-CH\'IND.3\'. Os filmes, de modo geral, apresentaram-se resistentes a ácidos ebases mas não a compostos orgânicos (ângulo de contato zero). Os filmes mais resistentes a HF são aqueles onde a intensidade relativa de Si- \'CH IND.3\' é maior ou aqueles fabricados a partir de HMDS + \'O IND.2\' ou HMDS + Ar. O filme obtido porpolimerização ) de HMDS permite a adesão de fotorresiste a substratos de vidro, o mesmo não ocorrendo com o filme obtido por HMDS + \'O IND.2\'.