Litografia por elétrons de baixa energia com resiste de amplificação química.

• Ano de defesa: 1999
• Autor(a) principal: Inoki, Carlos Kazuo
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Electron beam lithography; Litografia por feixe de elétrons; Sililação; Silylation
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22112024-162400/

A microlitografia é uma etapa fundamental dentro da microeletrônica. Hoje a microeletrônica busca alternativas à litografia óptica convencional que possibilitem a fabricação com dimensões cada vez menores. A litografia por feixe de elétrons sempre conseguiu definir dimensões menores que a conseguida pelas técnicas ópticas, entretanto a baixa produtividade e os efeitos de proximidade (espalhamento de elétrons) limitam a sua aplicação de forma definitiva. Uma nova abordagem é apresentada na literatura, ela emprega pequenos canhões de elétrons (microcolunas) dispostos matricialmente que permitem o aumento da produtividade. Nessa técnica que apresenta maior produtividade, utilizam elétrons de baixa energia (<5 keV), o que minimiza os efeitos de proximidade mas implica em baixa penetração no resiste, que por sua vez limita a espessura do resiste utilizável (<200 nm). Este trabalho apresenta uma nova técnica que emprega simultaneamente litografia por feixe de elétrons de baixa energia, sililação (incorporação seletiva de \'Si\' ao resiste) e resiste para ultravioleta profundo (DUV) na fabricação de estruturas com dimensões laterais menores que 0,5 \'micrometros\' em resiste com espessura de 0,9 \'micrometros\'. Nesta técnica a imagem é transferida em duas etapas, primeiro pela modificação química das áreas não expostas do resiste pela sililação e em seguida por um processo de revelação a seco em plasma de \'O IND.2\'. Foi possível fabricar estruturascom 0,25 \'micrometros\' de largura em resiste de 0,9 \'micrometros\' de espessura empregando-se baixa energia (2 keV), sililação e resiste para DUV. Os efeitos de proximidade foram reduzidos consideravelmente. Baseando-se nessas técnicas, desenvolveu-se um processo que eliminou por completo a etapa de aquecimento pós-exposição (\"Post Exposure Bake\" ou PEB), simplificando o processo e tornando-o mais reprodutível.