Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2010 |
| Autor(a) principal: |
Lima, Iara Batista de |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-10082011-102711/
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Resumo: |
Neste trabalho so apresentadas as medidas do coeficiente de multiplicao gasosa (α) no isobutano puro obtidas com uma cmara de placas paralelas protegida contra descargas por um eletrodo de vidro (anodo) de elevada resistividade (ρ = 2 x 1012.cm). O mtodo empregado foi o de Townsend pulsado, onde a ionizao primria produzida pela incidncia de um feixe de laser de nitrognio em um eletrodo metlico (catodo). As correntes eltricas medidas com a cmara operando em regime de ionizao e de avalanche foram utilizadas para o clculo do coeficiente de multiplicao gasosa pela soluo da equao de Townsend para campos eltricos uniformes. A tcnica utilizada foi validada pelas medidas do coeficiente de multiplicao gasosa no nitrognio, um gs amplamente estudado, e para o qual se tem dados bem estabelecidos na literatura. Os coeficientes de multiplicao gasosa do isobutano foram medidos em funo do campo eltrico reduzido no intervalo de 139Td a 208Td. Os valores obtidos foram comparados com os simulados pelo programa Imonte (verso 4.5) e com os nicos dados existentes na literatura, recentemente obtidos pelo nosso grupo. Esta comparao demonstrou que os resultados so concordantes dentro dos erros experimentais. |
