Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOFETs operando em altas temperaturas.

• Ano de defesa: 1996
• Autor(a) principal: Bellodi, Marcello
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Altas temperaturas; Corrente de fuga; High temperatures; Leakage current; Microelectronics; Microeletrônica; Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/

Apresentamos neste trabalho um estudo da corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Para o desenvolvimento deste estudo foram utilizados transistores SOI nMOSFETs e SOI pMOSFETs com diferentes condições de polarização e temperatura de operação variando desde a ambiente ate 300\'GRAUS\'c. Desenvolvemos uma metodologia para a obtenção de um modelo empírico da corrente de fuga do dreno dos transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Também foram estudadas as influências das dimensões do comprimento L e da largura W do canal na corrente de fuga do dreno. Os resultados experimentais foram validados através de simulações numéricas bidimensionais realizadas com o simulador numérico MEDICI. Como resultado deste trabalho, foi observado que a corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas é diretamente proporcional a largura do canal e inversamente proporcional ao comprimento de canal para dispositivos cujo comprimento de canal seja até 20µm e para transistores com comprimento de canal superior a 20µm, a corrente de fuga só depende diretamente da largura do canal do transistor.