Estudo de camadas orgânicas para utilização em transistores em substratos rígidos e flexíveis.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2021
Autor(a) principal: Cabrera García, Dennis
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
PMF
PVP
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01072021-090939/
Resumo: Este projeto consiste na fabricação e caracterização de filmes poliméricos, como isolantes de porta, em transistores de filmes finos orgânicos (do inglês Organic Thin Film Transistor, OTFTs), com estrutura bottom-gate/bottom-contact. Foram utilizados vários materiais dielétricos orgânicos sem reticulação, poli(4-vinilfenol) (PVP), polimetilmetacrilato (PMMA) ou na forma de blenda com o agente reticulante poly(melamine-co-formaldehyde) methylated (PMF), com o intuito de aumentar a resistência química do filme contra a degradação por oxigênio e a corrosão por solvente orgânico. Foi necessário investigar o efeito da espessura e da reticulação nas propriedades do filme dielétrico para obter um dispositivo com parâmetros elétricos semelhantes aos encontrados na literatura, tais como: constante dielétrica (k), densidade de capacitância, densidade de corrente de fuga, tensão de limiar (VT), inclinação da região de sublimiar (SS), mobilidade dos portadores (?p) e relação entre as correntes ION/OFF. Foi feita a caracterização elétrica dos transistores fabricados, assim como análises morfológicas por espectroscopia Raman, FTIR e rugosidade. Com a finalidade de conhecer se o filme dielétrico de PVP ou PMMA suporta os processos de fabricação, foi analisado, tanto por AFM quanto por perfilometria, o que ocorre na espessura dos filmes obtidos após a corrosão por plasma e a deposição por centrifugação (do inglês spin coating) de diferentes solventes orgânicos sobre o filme dielétrico.