Contribuição ao desenvolvimento de sensores semicondutores de radiação.

• Ano de defesa: 1995
• Autor(a) principal: Attie, Marcia Regina Pereira
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Semiconductors; Semicondutores; Sensor
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05112024-112439/

Neste trabalho, é abordada a problemática do projeto, construção e caracterização de sensores de radiação com a tecnologia planar de silício. É feita uma reviãao generalizada de materiais e métodos para dimensionar o problema de fabricar sensores de radiação com a tecnologia de silício. São revisados os princípios da interação da radiação ionizante com a matéria. São verificados os princípios de funcionamento do sensor e destacadas as suas características paramétricas e funcionais, além das exigências quanto ao substrato utilizado na sua fabricação. As principais causas do alargamento do pulso que caracteriza a resposta elétrica do sensor são revistas. No estudo da eficiência quântica, é considerada a quantidade de energia depositada pela radiação em cada interação. É revisada a sensibilidade a efeitos externos. São definidas as regras de projeto e uma proposta de tecnologia para processar o sensor, considerando a relação entre as características elétricas e a excitação provocada pela radiação, e ainda levando-se em conta as restrições estruturais e a tecnologia planar convencional. As características elétricas determinantes são: corrente reversa, volume sensível e a tensão de ruptura. Na resposta a radiação são utilizadas radiação \'BETA\' proveniente de fósforo 32 e estrôncio 90 e radiação \'GAMA\' proveniente de cesio 137. A excitação provocada pela radiação é analisada em função da variação da eficiência quântica com a polarização reversa. São propostos métodos para otimizar o desempenho do sensor.