Filmes finos de SnO2 via processo sol-gel: influência de alguns parâmetros na deposição e da dopagem com Sb

• Ano de defesa: 2001
• Autor(a) principal: Geraldo, Viviany
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Não disponível; Not available
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-24082015-114637/

Dióxido de estanho (SnO2) tem sido amplamente estudado devido às suas propriedades óticas e elétricas. Neste trabalho é investigada a preparação de filmes finos de SnO2 pela técnica sol-gel, usando diferentes procedimentos para a deposição das camadas. Além disso são incorporados aos filmes diferentes concentrações de dopante Sb, de modo a constituir um semicondutor do tipo-n. São apresentados resultados de absorção, transmissão e reflexão para uma ampla faixa de comprimentos de onda (0,2 &#181m- 6,0 &#181m).Observa-se um aumento da absorção e reflexão no infravermelho com o aumento da concentração de dopantes, o que pode ser explicado pela teoria de Drude. Análises estruturais, são feitas por técnicas tais como difração de raios-X, microscopia eletrônica de varredura e reflexão especular de raios-X, confirmando a estrutura da cassiterita e a espessura prevista para os filmes. O comportamento elétrico é verificado em função da presença de ar na câmara de tratamento térmico pós-deposição. É apresentado também um modelamento simples para explicar a alta resistividade dos filmes com base no espalhamento de elétrons no contorno de grão.