Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2016 |
| Autor(a) principal: |
Trevizan, João Pedro Gonçalves |
| Orientador(a): |
Santos, José Vicente Canto dos |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade do Vale do Rio dos Sinos
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| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
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| Departamento: |
Escola Politécnica
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| País: |
Brasil
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| Palavras-chave em Português: |
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| Palavras-chave em Inglês: |
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| Área do conhecimento CNPq: |
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| Link de acesso: |
http://www.repositorio.jesuita.org.br/handle/UNISINOS/5523
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Resumo: |
Este estudo avalia uma proposta de substituição de fio de ouro por fio de cobre no processo de wire bonding em memórias DRAM DDR3 encapsuladas no Brasil. A viabilidade técnica da aplicação desta tecnologia para este componente foi testada na prática em uma empresa coreana, com a produção de amostras e verificação das características de qualidade das mesmas. Após otimização de parametros da primeira solda por DOE, foi possível obter resultados dentro das especificações do processo e semelhantes aos obtidos com o fio de ouro. Após a confirmação da viabilidade técnica, foi verificado a viabilidade econômica deste projeto, calculando o custo de implementação e estimando o tempo para retorno do investimento através dos métodos de payback simples e descontado. Devido à necessidade de aquisição de máquinas soldadoras de custo elevado, o payback descontado resultou em seis anos e onze meses, o que representa um risco alto considerando o dinamismo do mercado de semicondutores e a eminente substituição do encapsulamento BOC pela tecnologia de flip chip |
