Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2017 |
| Autor(a) principal: |
Kondo, Elcio |
| Orientador(a): |
Krug, Margrit Reni |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade do Vale do Rio dos Sinos
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| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
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| Departamento: |
Escola Politécnica
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| País: |
Brasil
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| Palavras-chave em Português: |
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| Palavras-chave em Inglês: |
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| Área do conhecimento CNPq: |
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| Link de acesso: |
http://www.repositorio.jesuita.org.br/handle/UNISINOS/6296
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Resumo: |
Atualmente vários equipamentos eletrônicos são equipados com memórias NAND Flash para armazenar dados. Essas memórias são controladas através de um circuito integrado com um controlador de memória, que internamente possui um sistema para garantir a integridade das informações armazenadas, os quais são conhecidos por Error Correction Codes (ECC). Os ECCs são códigos capazes de detectar e corrigir erros através de bits redundantes adicionados à informação. Normalmente, os códigos ECC são implementados em hardware dentro do controlador de memória NAND Flash. Neste trabalho comparou-se alguns códigos de ECC utilizados pela indústria, para as comparações utilizou-se os códigos ECC: Hamming, BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) e Reed- Solomon. Sistematicamente realizou-se comparações entre os ECCs selecionados e escolheu-se os dois mais apropriados (BCH e Hamming), os quais foram implementados em linguagem VHDL, o que possibilitou identificar o código com melhor vantagem econômica no uso em memórias NAND Flash. |
