Estudo teórico das propriedades eletrônicas e estruturais das heteroestruturas laterais 2D TMDC-TMDC via DFT

• Ano de defesa: 2020
• Autor(a) principal: GOMES, Djardiel da Silva
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal Rural de Pernambuco; Departamento de Física; Brasil; UFRPE; Programa de Pós-Graduação em Física Aplicada
• Palavras-chave em Português: Heteroestruturas; Materiais nanoestruturados; Heterojunções; Materiais bidimensionais; Semicondutores; Propriedade eletrônica; CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
• Link de acesso: http://www.tede2.ufrpe.br:8080/tede2/handle/tede2/9357

O estudo de novas aplicações de materiais para construção de dispositivos eletrônicos é importante para o avanço tecnológico. Espera-se que a junção de materiais provoque mudanças nas propriedades eletrônicas em comparação com as propriedades desses materiais isolados. Logo, compreender as propriedades físicas após a junção de materiais são importantes para criação de dispositivos cada vez menores e melhores. Neste trabalho, utilizando cálculos de primeiros princípios, implementados com o formalismo da DFT, investigamos as propriedades estruturais e eletrônicas das heteroestruturas laterais (HSL) formadas pela junção de planos baseados em dichalcogenetos de metal de transição (TMDC). Mais especificamente, construímos um canal semicondutor entre planos metálicos, unindo lateralmente os planos de TMDC com as características: semicondutoras e metálicas com interface ziguezague, na seguinte ordenação: metal-semicondutor-metal. Como resultado foi visto que todas as HSL apresentam características metálicas e que existe um acúmulo de elétrons sobre os canais metálicos formados pelos planos NBX2 enquanto os canais semicondutores formados pelos planos MoX2 apresentam uma carga liquida positiva. Além disso, aparecem barreiras retificadoras de Schottky em todas as heterojunções.