Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2017 |
Autor(a) principal: |
Baqueta, Jeferson José |
Orientador(a): |
Ribas, Renato Perez |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
eng |
Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Palavras-chave em Inglês: |
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Link de acesso: |
http://hdl.handle.net/10183/164044
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Resumo: |
A diminuição das dimensões do transistor MOS tem sido a principal estratégia adotada para alcançar otimizações de desempenho na fabricação de circuitos integrados. Contudo, reduzir as dimensões dos transistores tem se tornado uma tarefa cada vez mais difícil de ser alcançada. Nesse contexto, vários esforços estão sendo feitos para encontrar dispositivos alternativos que permitam futuros avanços em relação à capacidade computacional. Entre as mais promissoras tecnologias emergentes estão os transistores de efeito de campo com múltiplos e independentes gates (MIGFETs). MIGFETs são dispositivos controlados por mais que um terminal de controle permitindo que funções Booleanas com mais de uma variável sejam implementadas por um único dispositivo. Redes de chaves construídas com dispositivos MIGFET tendem a ser mais compactas do que as redes de chaves tradicionais. No entanto existe um compromisso em relação a redução no número de chaves, devido à maior capacidade lógica, e um maior tamanho e pior desempenho do dispositivo. Neste trabalho, pretendemos explorar tal balanceamento no sentido de avaliar os impactos do uso de MIGFETs na construção de circuitos integrados digitais. Dessa forma, alguns critérios de avaliação são apresentados no sentido de analisar área e atraso de circuitos construídos a partir de dispositivos MIGFET, onde cada transistor é representado por um modelo RC. Em particular, tal avaliação de área e desempenho é aplicada no projeto de circuitos somadores binários específicos (metodologia full-custom). Além do mais, bibliotecas de células construídas a partir de dispositivos MIGFET são utilizadas na síntese automática de circuitos de referência através da metodologia standard-cell. Através dos experimentos, é possível ter-se uma ideia, mesmo que inicial e pessimista, do quanto o layout de um dado MIGFET pode ser maior do que um single-gate FinFET e ainda apresentar redução na área do circuito devido à compactação lógica. |