Efeito de altas pressões sobre o gradiente de campo elétrico em metais sp

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1979
Autor(a) principal: Jornada, Joao Alziro Herz da
Orientador(a): Zawislak, Fernando Claudio
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/49493
Resumo: Neste trabalho foi estudado o efeito de altas pressões sobre o gradiente de campo elétrico (GCE) presente em núcleos de 111 Cd imersos em matrizes dos seguintes metais s-p: Zn, In, Sn e Tl. As medidas foram realizadas através da técnica de correlação angular diferencial perturbada. A alta pressão, aproximadamente hidrostática, foi produzida por um aparelho do tipo pistão-cilindro e cobriu a região de zero até 40 kbar para o Tl e até 30 kbar para as outras matrizes. O GCE decresceu com a pressão nas matrizes de Zn e Ti e cresceu para o Sn e In. Em to dos os casos o valor estimado para a taxa de variação do GCE com o volume, (MnVzz/âlnV) c/a,T , esta de acordo com os resultados sistemáticos, que mostram uma grande dependência volumétrica do GCE em metais. Com os resultados obtidos deste estudo foi possível estimar também a contribuição nau-harmônica responsável pela variação do GCE com a temperatura, que mostrou-se de magnitude comporável à contribuição harmônica. Os resultados foram com parados com as previsões baseadas no modelo de Nishiyama e Riegel, produzindo boa concordância apenas em Zn e In. O modelo de cargas pontuais também não conseguiu explicar todos os resultados, apresentando, no caso do Sn, um comportamento muito diferente do observado experimentalmente. Este fato foi interpretado como uma evidência de que a chamada "correlação de Raghavan" e originaria de uma similar dependência estrutural das contribuições ao GCE provenientes da rede e dos elétrons de condução.