Investigação dos processos de crescimento térmico de dióxido de silício sobre carbeto de silício

• Ano de defesa: 2018
• Autor(a) principal: Dartora, Gustavo Henrique Stedile
• Orientador(a): Stedile, Fernanda Chiarello
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Microeletrônica; Semicondutores
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/193548

Este trabalho investiga a cinética de oxidação do carbeto de silício (SiC) monocristalino, assim como as propriedades físico-químicas da interface e do filme fino de óxido (SiO2) formado. Serão discutidos filmes finos crescidos termicamente em oxidações realizadas tanto em via seca, ou seja, em atmosfera estática de gás oxigênio (O2), como em via úmida, sendo, neste caso, em fluxo de oxigênio misturado com vapor d'água. Diferentes combinações dos parâmetros de oxidação (duração, temperatura, pressão e espécie oxidante) permitiram determinar a influência de cada parâmetro nas propriedades do filme fino formado. Foram utilizadas técnicas de análise por feixe de íons, como espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS) e análises por reação nuclear (NRA e NRP), para determinar a quantidade de oxigênio incorporado nas amostras, e, em alguns casos, o perfil de concentração do oxigênio incorporado. A partir dos dados obtidos, a cinética de oxidação foi estudada. Foram calculadas as energias de ativação para os diferentes mecanismos de oxidação que tomam parte nas etapas iniciais da oxidação térmica do SiC. Essas energias de ativação puderam ser relacionadas às etapas de oxidação de modelos já publicados, corroborando com a hipótese de a emissão de átomos do substrato governar o crescimento do óxido nas etapas iniciais da oxidação. Esta dissertação é uma continuação da pesquisa desenvolvida durante o trabalho de conclusão de curso de bacharelado em Física do presente autor, e faz uso de alguns dados obtidos nesse trabalho prévio.