Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2010 |
| Autor(a) principal: |
Ribeiro, Ivandro da Silva |
| Orientador(a): |
Wirth, Gilson Inacio |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Palavras-chave em Inglês: |
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| Link de acesso: |
http://hdl.handle.net/10183/31119
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Resumo: |
A propagação de eventos transientes na lógica combinacional é estudada através da simulação elétrica do circuito, utilizando-se o simulador Hspice. Uma das fontes de falhas transientes é o pulso transiente causado por partículas ionizantes que atingem o circuito. O estudo é centrado nas propriedades de mascaramento elétrico das portas lógicas. Estuda-se a propagação do pulso transiente através de cada estágio da lógica até que alcance um elemento da memória. A partir do estudo das propriedades de mascaramento elétrico, propõe-se um modelo simples para a degradação e ampliação de um pulso transiente enquanto este é propagado através de uma cadeia de portas lógicas. O modelo considera as propriedades elétricas das portas, utilizando como parâmetro principal da modelagem o tempo de propagação (atraso) da porta lógica. O modelo é computacionalmente eficiente e adequado para implementação em ferramentas de auxilio de projeto automatizadas, como ferramentas de timing analysis. A ferramenta timing analysis poderia então executar um algoritmo para percorrer todos os nós de um circuito, determinando os nós mais sensíveis, ajudando a estimar e reduzir a taxa de falhas transientes do circuito. Visando no futuro, testar o modelo e o comportamento de circuitos combinacional sobre efeito de partículas radioativas, foram estudadas algumas arquiteturas existentes capazes de medir a largura dos pulsos transientes nos circuitos combinacionais on-chip, para compararmos com o modelo analítico proposto e os comportamentos elétricos obtidos através de simulação Hspice. |
