Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2011 |
| Autor(a) principal: |
Souza, Flávio Queiroz de [UNESP] |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://hdl.handle.net/11449/87063
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Resumo: |
Referências de tensão integradas com baixa sensibilidade à temperatura, tensão de a- limentação e eventos transitórios são componentes críticos na maioria dos circuitos integra- dos. Neste trabalho, além das restrições costumeiras, foi adicionada a preocupação com a in- terferência eletromagnética a qual vem ganhando muita importância devido a crescente polui- ção eletromagnética no ambiente. Assim, neste trabalho, propõe-se o projeto de uma referên- cia de tensão tipo bandgap com baixa susceptibilidade a interferência eletromagnética (EMI). O projeto deste circuito baseia-se na soma de duas correntes (referência de tensão baseada em corrente), uma com coeficiente complementar a temperatura absoluta (CTAT) e outra com coeficiente proporcional à temperatura absoluta (PTAT), aplicada sobre um resistor. Neste projeto, a susceptibilidade a interferência eletromagnética de uma referência de tensão band- gap é estudada por meio de simulação. Projetada para ser fabricada com a tecnologia CMOS 0,35 μm da AMS (Autriamicrosystems), a referência forneceu uma tensão de referência está- vel de 1,354 V em sua saída operando normalmente na faixa de temperatura de -40 a 150oC. Quando submetido à EMI, o circuito exibiu apenas 24,7 mV (quando filtros capacitivos são incluído) de offset induzido, para um sinal de interferência variando de 150 kHz a 1 GHz |
