Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2023
Autor(a) principal: Braga, João Paulo
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://hdl.handle.net/11449/244089
Resumo: Esta tese de doutorado é o resultado de alguns trabalhos realizados em estudos de dispositivos eletrônicos à base de óxidos metálicos processados por solução. O primeiro trabalho apresenta um estudo comparativo de como o método de deposição (spray-pirólise e spin-coating) da camada ativa de transistores de filme fino (TFT) afeta as propriedades físicas e o desempenho dos dispositivos. As propriedades dos filmes foram analisadas através de técnicas de espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS), análise termogravimétrica (TG), microscopia eletrônica de varredura (MEV), difração de raio-x (DRX), espectroscopia UV-Vis e Elipsometria, enquanto as propriedades elétricas foram analisadas através das curvas características de um TFT, analisando a mobilidade dos portadores de carga, tensão limiar e da resistência elétrica dos filmes. O segundo trabalho apresentado nessa tese analisa os efeitos de defeitos intrínsecos na interface entre o semicondutor/isolante em TFT nas propriedades elétricas dos dispositivos através da variação da espessura da camada dielétrica (100, 200 e 300 nm) e da temperatura (80 – 350k). A influência de parâmetros como a estrutura e temperatura permitiram uma análise mais detalhada do transporte de carga de dispositivos TFT, fornecendo, dessa forma, um maior conhecimento das propriedades físicas dos materiais estudados.