Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa:	2001
Autor(a) principal:	Tudury, Heloisa Andrade de Paula
Orientador(a):	Não Informado pela instituição
Banca de defesa:	Não Informado pela instituição
Tipo de documento:	Dissertação
Tipo de acesso:	Acesso aberto
Idioma:	por
Instituição de defesa:	[s.n.]
Programa de Pós-Graduação:	Não Informado pela instituição
Departamento:	Não Informado pela instituição
País:	Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:	Semicondutores - Propriedades óticas Poços quânticos Fotoluminescência Heteroestruturas
Link de acesso:	https://hdl.handle.net/20.500.12733/1592518
Resumo:	Orientador: Fernando Iikawa

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