Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2018
Autor(a) principal: Rosa, Veridiane Lopes
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Santa Maria
Brasil
Engenharia Elétrica
UFSM
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Centro de Tecnologia
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Perdas
GaN
Conversores ressonantes
Losses
Resonant converters
CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA
Link de acesso: http://repositorio.ufsm.br/handle/1/16026
Resumo: This paper presents the losses and efficiency evaluation to three different topologies. This paper goals are evaluating the losses percental related to the semiconductors devices, Gallium Nitride (GaN). This paper presents the converters: synchronous Buck, quasi-resonant Buck converter and LLC resonant converter. The topologies have their losses evaluated by calculation, simulation and experimental, therefore it is possible to compare the methods. Utilizing the calculation and simulation method is possible to predict the real converter behaviour, as result is possible to evaluate each device losses. In conclusion the Gallium Nitrite have some limitations to low load applications and hard switching operation. In the resonant applications the semiconductor devices, GaN, have their losses decreased.

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