Síntese, caracterização estrutural e dielétrica do Niobato de Ferro - FeNbO4

• Ano de defesa: 2017
• Autor(a) principal: Nascimento Júnior, Cristóvão Porciano do
• Orientador(a): Medeiros, Suzana Nobrega de
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Programa de Pós-Graduação: PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: Niobato de ferro; Caracterização dielétrica; Tiristor; Permissividade
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
• Link de acesso: https://repositorio.ufrn.br/jspui/handle/123456789/24800

O niobato de ferro (FeNbO4) tem sido aplicado como fotoânodo em conversores de energia solar, sensores a gás, tecnologias catalíticas, fotodectoras e dispositivos eletrônicos. No entanto, as descrições de suas propriedades dielétricas ainda são muito escassas. Foi preparado três tipos de amostras a partir da moagem de alta energia (24h, 48h e 72h) dos precursores de: Nb2O5, α-Fe e H2O. Depois do processo de moagem, os pós resultantes da moagem passaram pelo processo de calcinação por 4 horas a 1300ºC. O tempo de calcinação foi o mesmo para todas. Todas essas amostras passaram pela caracterização dielétrica, mas antes elas foram prensadas a 1570 Kgf e sinterizadas à 1000_C por 24 horas. As caracterizações estruturais das amostras foram realizadas através da difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura e fluorescência de raios X. Os resultados revelaram que a amostra moída por 24h tem 94,48 % de FeNbO4 e 5,52 % de Fe2O3, para 48h tem 97,82 % de FeNbO4 e 2,18 % de Fe2O3, para 72h tem 93,68 % de FeNbO4 e 6,32 % de Fe2O3. As propriedades dielétricas foram analisadas através das curvas características I-V e da permissividade dielétrica complexa com relação a frequência. As curvas características obtidas mostraram um comportamento semelhante a dispositivos eletrônicos semicondutores, pertencente a família dos tiristores. O nosso estudo trata de uma nova rota de síntese para obtenção do niobato de ferro. Os resultados indicam que as amostras têm grande potencial para aplicação em dispositivos eletrônicos.